三星在年初的IEEE国际固态电路大会（ISSCC）上，公布3nm制造技术的一些细节，包括类似全栅场效应晶体管（GAAFET）结构，率先开启先进工艺在技术架构上的转型。知名能源与电力媒体eenews报道称，三星工厂已经流片采用环绕栅极 (GAA) 晶体管架构的3nm芯片，通过